N2低溫等離子體清洗作用于多孔硅表面時(shí)，保留其孔結(jié)構(gòu)，提高了光傳導(dǎo)效應(yīng)以及減少了光吸收的損失。經(jīng)等離子處理后，活性炭表面積減小，但大孔數(shù)量略有增加，表面酸性官能團(tuán)濃度增加。研究人員還發(fā)現(xiàn)，通過(guò)改變金屬離子溶液的初始pH值，Cu離子和Zn離子的飽和吸附量顯著增加，說(shuō)明低溫等離子體處理活性炭可以作為一種有效提高其吸附性能的手段。等離子體處理可顯著提高膜的親水性和表面張力。

       低溫等離子體清洗對(duì)多孔材料的表面修飾作用僅限于材料的表面淺層(幾個(gè)納米至幾百納米)，而不影響材料的本體性能。經(jīng)過(guò)處理的材料表面發(fā)生了許多物理和化學(xué)變化，如腐蝕、致密的交聯(lián)層形成和極性基團(tuán)的引入，以提高材料的各種性能。
       低溫等離子體清洗技術(shù)具有易操作、加工速度快、處理效果好、環(huán)境污染小、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，因此在多孔材料表面改性處理中得到廣泛應(yīng)用并具有廣闊的發(fā)展前景。微電子封裝技術(shù)的粘接工藝，以小粗糙度及小接觸角的干凈表面為重要的先決條件。特別是復(fù)雜的包裝結(jié)構(gòu)，如塑料包裝焊球陣列和疊層包裝結(jié)構(gòu)。
       由于其固定效率和良好的熱電特性，PBGA封裝或其擴(kuò)展技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用。在PBGA組裝過(guò)程中，界面剝離是一個(gè)主要問(wèn)題，如芯片/塑封材料與襯底的阻焊/塑封之間的接口。與傳統(tǒng)的外圍引線框架相比，PBGA封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜，如塑料四面平封裝。為了防止剝離，其多層界面要求具有更高的界面黏附強(qiáng)度。
       通常情況下，剝離現(xiàn)象首先發(fā)生在晶片邊緣，在應(yīng)力作用下，在短時(shí)間內(nèi)向內(nèi)部擴(kuò)展。晶片與有機(jī)基材之間產(chǎn)生的熱失配應(yīng)力直接支配著晶片與基材之間的熱失配應(yīng)力。最終的電失效是焊料疲勞產(chǎn)生裂紋而導(dǎo)致，發(fā)生于剝離之后。
        用低溫等離子體清洗，使用的氣體是氬氣、氧氣和含氬氣和氧氣的CF4氣體。等離子體在PBGA中的粘合劑和成型技術(shù)前清洗基板等離子體，可以提高抗剝離能力。低溫等離子體清洗后，極大地提高了壓焊的可靠性。