集成電路的第壹步是通過掩模向基底透射電路圖案。光敏性聚合物光刻膠經紫外線曝光后，受照射部分通過顯影作用去除。一旦電路圖案在光刻膠上定型后，即可通過刻蝕工藝將圖案復制到多晶硅等質地的基底薄膜上，從而形成晶體管門電路，同時用鋁或銅實現元器件之間的互連，或用二氧化硅來阻斷互連路徑。刻蝕的作用在于將印刷圖案以極高的準確性轉移到基底上，因此刻蝕工藝必須有選擇地去除不同薄膜，基底的刻蝕要求具備高度選擇性。否則，不同導電金屬層之間就會出現短路。另外，刻蝕工藝還應具有各向異性，那樣可保證將印刷圖案精(確)復制到基底上。
等離子體可將氣體分子離解或分解為化學活性組分，后者與基底的固體表面發(fā)生反應，生成揮發(fā)性物質，然后被真空泵抽走。通常有四種材料必須進行刻蝕處理：硅（慘雜硅或非慘雜硅）、電介質（如SiO2或SiN）、金屬（通常為鋁、銅）以及光刻膠。每種材料的化學性質都各不相同。等離子體刻蝕為一種各向異性刻蝕工藝，可以確保刻蝕圖案的精(確)性、對特定材料的選擇性以及刻蝕效(果)的均勻性。等離子體刻蝕中，同時發(fā)生著基于等離子作用的物理刻蝕和基于活性基團作用的化學刻蝕。等離子體刻蝕工藝始于比較簡單的平板二極管技術，已經發(fā)展到時用價值數百萬美元的組合腔室，配備有多頻發(fā)生器、靜電吸盤、外部壁溫控制器以及針對特定薄膜專門設計得多種流程控制傳感器。可進行刻蝕處理的電介質為二氧化硅和氮化硅。這兩種電介質的化學鍵鍵能很高，一般需采用由碳氟化合物氣體（如CF4、C4F8等）產生的高活性氟等離子體才能將其刻蝕。上述氣體所產生的等離子體化學性質極為復雜，往往會在基底表面產生聚合物沉積，一般采用高能離子將上述沉積物去除。
